1.VDMOS純平面工藝就好比我們小時候的土屋，幾乎不需要挖地基,純平面架構(gòu)特點：成本高，雪崩強，內(nèi)阻抗大，ESD能力強，屬于純力量型選手。

2.Trench工藝，俗稱潛溝槽工藝，就好比我們農(nóng)村的樓房，需要挖地基到一定深度，同樣的使用面積所需要的地皮少，相比平面工藝，成本略低， 同電壓平臺，內(nèi)阻略小，電流大，輸出能力強，反之抗沖擊能力也更弱，速度與力量的結(jié)合。

3.SGT工藝，俗稱深溝槽工藝，就好比現(xiàn)在城市的高樓大廈，需要挖的地基特別深，相比前者，內(nèi)阻極低，成本極低，電流特別大，屬于敏捷型選手，一旦受到外部沖擊，很容易掛，特別馬達類領(lǐng)域一旦堵轉(zhuǎn)，優(yōu)先炸管的肯定是SGT。

4.  1）MOS 漏源電流越大，內(nèi)阻相應越小，MOS管的帶載能力越強；

     2）IGBT飽和壓降高，功耗大，10安電流，飽和壓降1.70伏，功耗17瓦;

     3）平面工藝穩(wěn)定，溝槽（tranch)新工藝，耐壓更高，內(nèi)阻小，SGT 內(nèi)阻更小，相同參數(shù)的氮化鎵內(nèi)阻是十幾個豪歐，比平面工藝內(nèi)阻?。ㄐ?-6倍）.

5. MOSFET在導通之后，其特性可以近似認為是一個電阻，VCC→RDS（on） →RL→GND形成回路。 按照電阻分壓原理，串聯(lián)電路中的分壓與阻值成正比，電阻值越大分得的電壓越多。 所以內(nèi)阻越小，它在同樣的電源消耗條件下對于相同阻抗的負載來說所分走并消耗在自身上的電壓越低，而負載上的電壓越高，可以帶起功率更大的負載來。 內(nèi)阻越大，管子自身消耗的功率越多，管子越容易發(fā)熱，壽命變短，甚至炸裂。 內(nèi)阻越小，負載產(chǎn)生的分壓越多，獲得的能量就越大，說明帶載能力越強，所以一般選用內(nèi)阻較低的MOS管。